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हम संचार मॉड्यूल, एंटेना, पीसीबी, पीसीबीए, और पीसीबी बोम के सभी घटकों से एक-स्टॉप समाधान सेवा प्रदान करते हैं।

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आईजीबीटी पावर मॉड्यूल

चीन TOP Electronic Industry Co., Ltd. प्रमाणपत्र
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10 साल के सहयोग के साथ उत्कृष्ट उत्पाद, अच्छी गुणवत्ता, प्रतिस्पर्धी मूल्य, पेशेवर सेवा, अब हम एक दूसरे के अच्छे दोस्त बन जाते हैं।

—— बोनाविया से रोनाल्ड

चीन में हमारे साथी के रूप में टॉप को ढूंढना बहुत खुशी है, यहां हम सबसे अच्छा उत्पाद और सीरिस प्राप्त कर सकते हैं, वे हमेशा ग्राहक को पहले स्थान पर रखते हैं।

—— अर्जेंटीना से कार्लोस

मैं आपकी सभी सेवा से बहुत संतुष्ट हूं। यह वास्तव में एक अच्छी टीम है! आपके एक-स्टॉप समाधान प्रस्ताव के साथ, हमें अधिक समय और पैसा बचाने में मदद करें

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चीन FF400R06KE3HOSA1 600V 400A आईजीबीटी अर्ध-पुल मॉड्यूल ट्रेंच स्टॉप तकनीक कम वीसीईएसएटी तेजी से स्विचिंग इन्वर्टर और ड्राइव के लिए मजबूत वितरक
FF400R06KE3HOSA1 600V 400A आईजीबीटी अर्ध-पुल मॉड्यूल ट्रेंच स्टॉप तकनीक कम वीसीईएसएटी तेजी से स्विचिंग इन्वर्टर और ड्राइव के लिए मजबूत

आईजीबीटी पावर मॉड्यूल

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चीन FF75R12RT4 1200V 75A आईजीबीटी मॉड्यूल कम वीसीई (sat) उच्च शॉर्ट सर्किट कठोरता कम स्विचिंग हानि उच्च अलगाव औद्योगिक ड्राइव और यूपीएस इन्वर्टर के लिए कारखाना

FF75R12RT4 1200V 75A आईजीबीटी मॉड्यूल कम वीसीई (sat) उच्च शॉर्ट सर्किट कठोरता कम स्विचिंग हानि उच्च अलगाव औद्योगिक ड्राइव और यूपीएस इन्वर्टर के लिए

FF75R12RT4 1200V 75A आईजीबीटी मॉड्यूल कम वीसीई (sat) उच्च शॉर्ट सर्किट कठोरता कम स्विचिंग हानि उच्च अलगाव औद्योगिक ड्राइव और यूपीएस इन्वर्टर के लिए विशेषताएं मानक शक्ति रेटिंगः1200V / 75A कम VCE (sat)(कम संवाहक ... और अधिक पढ़ें
2025-12-19 17:44:45
चीन SK70KQ16 1600V 70A क्विक IGBT मॉड्यूल लो Vce(sat) 2.3V फास्ट टर्न-ऑफ सॉफ्ट रिकवरी डायोड हाई टेम्परेचर 150°C कम लॉस हाई पावर डेंसिटी कॉम्पैक्ट यूपीएस और इनवर्टर के लिए कारखाना

SK70KQ16 1600V 70A क्विक IGBT मॉड्यूल लो Vce(sat) 2.3V फास्ट टर्न-ऑफ सॉफ्ट रिकवरी डायोड हाई टेम्परेचर 150°C कम लॉस हाई पावर डेंसिटी कॉम्पैक्ट यूपीएस और इनवर्टर के लिए

SK70KQ16 1600V 70A क्विक IGBT मॉड्यूल कम वीसीई (sat) 2.3V फास्ट टर्न-ऑफ सॉफ्ट रिकवरी डायोड हाई टेम्प 150°C कम हानि उच्च शक्ति घनत्व कॉम्पैक्ट यूपीएस और इन्वर्टर के लिए विशेषताएं कॉम्पैक्ट डिजाइन एक पेंच की स्था... और अधिक पढ़ें
2025-12-18 18:25:15
चीन SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT हाफ-ब्रिज मॉड्यूल कम Vce ((sat) फास्ट स्विचिंग सॉफ्ट रिकवरी डायोड हाई टेम्प 175°C लो लॉस इंडस्ट्रियल ग्रेड यूपीएस और सोलर इनवर्टर के लिए कारखाना

SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT हाफ-ब्रिज मॉड्यूल कम Vce ((sat) फास्ट स्विचिंग सॉफ्ट रिकवरी डायोड हाई टेम्प 175°C लो लॉस इंडस्ट्रियल ग्रेड यूपीएस और सोलर इनवर्टर के लिए

SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT हाफ-ब्रिज मॉड्यूल कम Vce ((sat) फास्ट स्विचिंग सॉफ्ट रिकवरी डायोड हाई टेम्प 175°C लो लॉस इंडस्ट्रियल ग्रेड यूपीएस और सोलर इनवर्टर के लिए विशेषताएं 1600V / 450A उच्च-शक्ति रेटिंग अर्... और अधिक पढ़ें
2025-12-18 18:25:12
चीन NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET मॉड्यूल कम Rds(on) 3.3mΩ फास्ट स्विचिंग हाई फ्रीक्वेंसी लो लॉस हाई पावर डेंसिटी औद्योगिक ग्रेड PV इनवर्टर और मोटर ड्राइव के लिए कारखाना

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET मॉड्यूल कम Rds(on) 3.3mΩ फास्ट स्विचिंग हाई फ्रीक्वेंसी लो लॉस हाई पावर डेंसिटी औद्योगिक ग्रेड PV इनवर्टर और मोटर ड्राइव के लिए

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET मॉड्यूल लो Rds(on) 3.3mΩ फास्ट स्विचिंग हाई फ़्रीक्वेंसी लो लॉस हाई पावर डेंसिटी इंडस्ट्रियल ग्रेड PV इनवर्टर और मोटर ड्राइव के लिए विशेषताएँ DIN 43 620 भागों 1 से 4 के अनुसार ... और अधिक पढ़ें
2025-12-18 18:25:09
चीन NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET मॉड्यूल कम Rds(on) 11mΩ तेज़ स्विचिंग उच्च आवृत्ति उच्च तापमान 175°C कम नुकसान सौर और औद्योगिक ड्राइव के लिए औद्योगिक ग्रेड कारखाना

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET मॉड्यूल कम Rds(on) 11mΩ तेज़ स्विचिंग उच्च आवृत्ति उच्च तापमान 175°C कम नुकसान सौर और औद्योगिक ड्राइव के लिए औद्योगिक ग्रेड

NH1GG69V125P 1250V 69A SiC MOSFET मॉड्यूल कम आरडीएस ((ऑन) 11mΩ फास्ट स्विचिंग हाई फ्रीक्वेंसी हाई टेम्प 175°C लो लॉस इंडस्ट्रियल ग्रेड सोलर और इंडस्ट्रियल ड्राइव के लिए विशेषताएं DIN 43 620 भाग 1 से 4 के अनुसार ... और अधिक पढ़ें
2025-12-18 18:25:07
चीन NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET कम आरडीएस ((ऑन) 18mΩ फास्ट स्विचिंग हाई फ्रीक्वेंसी हाई एफिशिएंसी मजबूत प्रदर्शन TO-247 पैकेज फॉर सर्वर SMPS & मोटर ड्राइव कारखाना

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET कम आरडीएस ((ऑन) 18mΩ फास्ट स्विचिंग हाई फ्रीक्वेंसी हाई एफिशिएंसी मजबूत प्रदर्शन TO-247 पैकेज फॉर सर्वर SMPS & मोटर ड्राइव

NCE6050A 60V 50A SiC MOSFET कम Rds(on) 18mΩ तेज़ स्विचिंग उच्च आवृत्ति उच्च दक्षता मजबूत प्रदर्शन TO-247 पैकेज सर्वर SMPS और मोटर ड्राइव के लिए विशेषताएँ VDS =60V, ID =50A RDS(ON)... और अधिक पढ़ें
2025-12-18 18:25:04
चीन MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC हाफ-ब्रिज मॉड्यूल कम आरडीएस ((ऑन) फास्ट स्विचिंग हाई फ्रीक्वेंसी हाई टेम्प ऑपरेशन कम नुकसान औद्योगिक ग्रेड के लिए पीवी और यूपीएस कारखाना

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC हाफ-ब्रिज मॉड्यूल कम आरडीएस ((ऑन) फास्ट स्विचिंग हाई फ्रीक्वेंसी हाई टेम्प ऑपरेशन कम नुकसान औद्योगिक ग्रेड के लिए पीवी और यूपीएस

MMG200Q120B6TC 1200V 200A SiC हाफ-ब्रिज मॉड्यूल कम आरडीएस ((ऑन) फास्ट स्विचिंग हाई फ्रीक्वेंसी हाई टेम्प ऑपरेशन कम नुकसान औद्योगिक ग्रेड के लिए पीवी और यूपीएस विशेषताएं □ आईजीबीटी चिप ((ट्रेंच+फील्ड स्टॉप तकनीक... और अधिक पढ़ें
2025-12-18 18:25:02
चीन MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET पावर मॉड्यूल 400V कम आरडीएस ((ऑन) 1.6mΩ उच्च दक्षता उच्च गति स्विचिंग ऑटोमोटिव ग्रेड तरल xEV ट्रैक्शन इनवर्टर के लिए ठंडा कारखाना

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET पावर मॉड्यूल 400V कम आरडीएस ((ऑन) 1.6mΩ उच्च दक्षता उच्च गति स्विचिंग ऑटोमोटिव ग्रेड तरल xEV ट्रैक्शन इनवर्टर के लिए ठंडा

MMF200ZB040DK1 200A SiC MOSFET पावर मॉड्यूल 400V कम आरडीएस ((ऑन) 1.6mΩ उच्च दक्षता उच्च गति स्विचिंग ऑटोमोटिव ग्रेड तरल xEV ट्रैक्शन इनवर्टर के लिए ठंडा विशेषताएं अल्ट्राफास्ट रिवर्स रिकवरी टाइम नरम रिवर्स रिकव... और अधिक पढ़ें
2025-12-18 18:24:59
चीन IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET कम आरडीएस ((ऑन) 65mΩ फास्ट स्विचिंग हाई फ्रीक्वेंसी रॉबस्ट बॉडी डायोड हाई टेम्प ऑपरेशन TO-264 पैकेज कारखाना

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET कम आरडीएस ((ऑन) 65mΩ फास्ट स्विचिंग हाई फ्रीक्वेंसी रॉबस्ट बॉडी डायोड हाई टेम्प ऑपरेशन TO-264 पैकेज

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET कम आरडीएस ((ऑन) 65mΩ फास्ट स्विचिंग हाई फ्रीक्वेंसी रॉबस्ट बॉडी डायोड हाई टेम्प ऑपरेशन TO-264 पैकेज विशेषताएं अंतर्राष्ट्रीय मानक पैकेज मिनीब्लॉक, एल्यूमीनियम नाइट्राइड आइसोलेशन क... और अधिक पढ़ें
2025-12-18 18:24:57
चीन FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT मॉड्यूल उच्च शक्ति घनत्व कम Vce(sat) तेज़ स्विचिंग उच्च आवृत्ति मजबूत SOA औद्योगिक ड्राइव और यूपीएस के लिए कारखाना

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT मॉड्यूल उच्च शक्ति घनत्व कम Vce(sat) तेज़ स्विचिंग उच्च आवृत्ति मजबूत SOA औद्योगिक ड्राइव और यूपीएस के लिए

FZ2400R17HP4B2 1700V 2400A HiPerFET 4 IGBT मॉड्यूल उच्च पावर घनत्व कम Vce(sat) फास्ट स्विचिंग उच्च आवृत्ति मजबूत SOA औद्योगिक ड्राइव और UPS के लिए विशेषताएँ पुनर्जननात्मक संचालन के लिए विस्तारित डायोड 4 kV AC ... और अधिक पढ़ें
2025-12-18 18:24:53
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