NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET मॉड्यूल कम Rds(on) 3.3mΩ फास्ट स्विचिंग हाई फ्रीक्वेंसी लो लॉस हाई पावर डेंसिटी औद्योगिक ग्रेड PV इनवर्टर और मोटर ड्राइव के लिए

NH1GG69V250P 1250V 250A SiC MOSFET मॉड्यूल लो Rds(on) 3.3mΩ फास्ट स्विचिंग हाई फ़्रीक्वेंसी लो लॉस हाई पावर डेंसिटी इंडस्ट्रियल ग्रेड PV इनवर्टर और मोटर ड्राइव के लिए

विशेषताएँ

• DIN 43 620 भागों 1 से 4 के अनुसार आयाम

• गैर-पृथक पकड़ने वाले लग्स

• कनेक्शन/टर्मिनल सामग्री

• 0% कैडमियम

अनुप्रयोग

• gG: सामान्य प्रयोजन केबल और लाइन सुरक्षा

DIN NH स्टैंडर्ड फ्यूज-लिंक gG साइज़ NH1 690VAC 400VDC 250A लाइव टैग डबल इंडिकेटर बॉडी चौड़ाई 40 मिमी

NH1GG69V250P सबसे अधिक मांग वाले उच्च-वर्तमान, उच्च-वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए इंजीनियर एक उच्च-शक्ति सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFET मॉड्यूल है। यह 250A की पर्याप्त निरंतर धारा क्षमता के साथ एक असाधारण 1250V वोल्टेज रेटिंग प्रदान करता है। उन्नत SiC तकनीक का लाभ उठाते हुए, मॉड्यूल में 3.3mΩ का एक अल्ट्रा-लो ऑन-स्टेट प्रतिरोध (Rds(on)) है, जो चालन नुकसान को बहुत कम करता है। अपनी अंतर्निहित तेज़ स्विचिंग क्षमता और कम स्विचिंग नुकसान के साथ मिलकर, यह काफी अधिक ऑपरेटिंग फ़्रीक्वेंसी को सक्षम बनाता है, जिससे बेहतर पावर डेंसिटी, कम सिस्टम आकार और बेहतर समग्र दक्षता मिलती है। इसका मजबूत औद्योगिक-ग्रेड निर्माण चुनौतीपूर्ण वातावरण में विश्वसनीय दीर्घकालिक संचालन सुनिश्चित करता है।जानकारी

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