FM24CL04B-G 4Kb 5V FRAM असीमित सहनशक्ति के साथ, 150ns बिना-विलंब राइट्स, 1MHz I2C इंटरफ़ेस, 10^14 रीड/राइट चक्र, कम 50µA स्टैंडबाय करंट और 40-वर्ष डेटा रिटेंशन के साथ

FM24CL04B-G 4KB 5V FRAM असीमित धीरज के साथ 150NS NO-DELAY लिखता है 1MHz I2C इंटरफ़ेस 10^14 पढ़ें/लिखें

• 4-केबिट फेरोइलेक्ट्रिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (एफ-राम) तार्किक रूप से 512 × 8 के रूप में आयोजित किया गया
  • हाई-एंड्योरेंस 100 ट्रिलियन (10)¹⁴) पढ़ें/लिखें
  • 151-वर्ष डेटा प्रतिधारण (पृष्ठ 10 पर डेटा प्रतिधारण और धीरज देखें)
  • Nodelay ™ लिखते हैं
  • उन्नत उच्च विश्वसनीयता फेरोइलेक्ट्रिक प्रक्रिया
• फास्ट 2-वायर सीरियल इंटरफ़ेस (I2C)
  • 1-मेगाहर्ट्ज आवृत्ति तक
  • सीरियल (I2C) EEPROM के लिए डायरेक्ट हार्डवेयर रिप्लेसमेंट
  • 100 kHz और 400 kHz के लिए विरासत समय का समर्थन करता है
• कम बिजली की खपत
  • 100 ka सक्रिय वर्तमान 100 kHz पर
  • 3 μA (टाइप) स्टैंडबाय करंट
• वोल्टेज ऑपरेशन: VDD = 2.7 V से 3.65 V
• औद्योगिक तापमान: -40 ℃ से +85 ℃
• 8-पिन स्मॉल आउटलाइन इंटीग्रेटेड सर्किट (SOIC) पैकेज
• खतरनाक पदार्थों (ROHs) के अनुरूप प्रतिबंध

FM24CL04B एक 4-केबिट नॉनवोलैटाइल मेमोरी है जो एक उन्नत फेरोइलेक्ट्रिक प्रक्रिया को नियोजित करती है। एक फेरोइलेक्ट्रिक रैंडम एक्सेस मेमोरी या एफ-राम नॉनवॉलैटाइल है और एक रैम के समान रीड और राइट्स रिम्स करता है। यह 151 वर्षों के लिए विश्वसनीय डेटा प्रतिधारण प्रदान करता है, जबकि EEPROM और अन्य नॉनवोलैटाइल यादों के कारण होने वाली जटिलताओं, ओवरहेड और सिस्टम-स्तरीय विश्वसनीयता समस्याओं को समाप्त करता है।

EEPROM के विपरीत, FM24CL04B बस गति पर लिखने का संचालन करता है। कोई लिखने में देरी नहीं होती है। प्रत्येक बाइट को डिवाइस में सफलतापूर्वक स्थानांतरित करने के तुरंत बाद डेटा मेमोरी सरणी को लिखा जाता है। अगला बस चक्र डेटा मतदान की आवश्यकता के बिना शुरू हो सकता है। इसके अलावा, उत्पाद अन्य गैर -गैर -यादों की तुलना में पर्याप्त लेखन धीरज प्रदान करता है। इसके अलावा, एफ-राम ईईपीआरओएम की तुलना में लिखने के दौरान बहुत कम शक्ति प्रदर्शित करता है क्योंकि लिखने के संचालन को लेखन सर्किट के लिए आंतरिक रूप से ऊंचा बिजली आपूर्ति वोल्टेज की आवश्यकता नहीं होती है। FM24CL04B 10 का समर्थन करने में सक्षम है¹⁴EEPROM की तुलना में चक्र पढ़ें/लिखें, या 100 मिलियन गुना अधिक चक्र लिखें।

ये क्षमताएं FM24CL04B को गैर -समरूप मेमोरी अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाती हैं, जिनके लिए लगातार या तेजी से लिखने की आवश्यकता होती है। उदाहरण डेटा लॉगिंग से लेकर, जहां लेखन चक्रों की संख्या महत्वपूर्ण हो सकती है, औद्योगिक नियंत्रण की मांग करने के लिए जहां ईईपीआरएम के लंबे समय से लिखने का समय डेटा हानि का कारण बन सकता है। सुविधाओं का संयोजन सिस्टम के लिए कम ओवरहेड के साथ अधिक लगातार डेटा लेखन की अनुमति देता है।

FM24CL04B एक हार्डवेयर ड्रॉप-इन प्रतिस्थापन के रूप में सीरियल (I2C) EEPROM के उपयोगकर्ताओं को पर्याप्त लाभ प्रदान करता है। डिवाइस विनिर्देशों को -40 ° C से +85 ° C के औद्योगिक तापमान सीमा पर गारंटी दी जाती है।

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