FM24CL04B-G 4Kb 5V FRAM असीमित सहनशक्ति के साथ, 150ns बिना-विलंब राइट्स, 1MHz I2C इंटरफ़ेस, 10^14 रीड/राइट चक्र, कम 50µA स्टैंडबाय करंट और 40-वर्ष डेटा रिटेंशन के साथ

FM24CL04B-G 4Kb 5V FRAM अनलिमिटेड एंड्योरेंस के साथ 150ns नो-डिले राइट्स 1MHz I2C इंटरफेस 10^14 रीड/राइट साइकल कम 50 μA स्टैंडबाय करंट और 40 साल का डेटा रिटेंशन

• 4-केबिट फेरोइलेक्ट्रिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (एफ-रैम) तार्किक रूप से 512 × 8 के रूप में व्यवस्थित है
  • उच्च-धीरज 100 ट्रिलियन (10¹⁴) पढ़ना/लिखना
  • 151-वर्षीय डेटा प्रतिधारण (पेज 10 पर डेटा प्रतिधारण और सहनशक्ति देखें)
  • NoDelay™ लिखता है
  • उन्नत उच्च-विश्वसनीयता फेरोइलेक्ट्रिक प्रक्रिया
• तेज़ 2-तार सीरियल इंटरफ़ेस (I2C)
  • 1-मेगाहर्ट्ज आवृत्ति तक
  • सीरियल (I2C) EEPROM के लिए प्रत्यक्ष हार्डवेयर प्रतिस्थापन
  • 100 kHz और 400 kHz के लिए लीगेसी टाइमिंग का समर्थन करता है
• कम बिजली की खपत
  • 100 kHz पर 100 μA सक्रिय धारा
  • 3 μA (टाइप) स्टैंडबाय करंट
• वोल्टेज ऑपरेशन: वीडीडी = 2.7 वी से 3.65 वी
• औद्योगिक तापमान: -40℃ से +85℃
• 8-पिन छोटा आउटलाइन इंटीग्रेटेड सर्किट (SOIC) पैकेज
• खतरनाक पदार्थों पर प्रतिबंध (आरओएचएस) के अनुरूप

FM24CL04B एक 4-Kbit गैर-वाष्पशील मेमोरी है जो उन्नत फेरोइलेक्ट्रिक प्रक्रिया का उपयोग करती है। फेरोइलेक्ट्रिक रैंडम एक्सेस मेमोरी या एफ-रैम गैर-वाष्पशील है और रैम के समान ही पढ़ता और लिखता है। यह EEPROM और अन्य गैर-वाष्पशील यादों के कारण होने वाली जटिलताओं, ओवरहेड और सिस्टम-स्तरीय विश्वसनीयता समस्याओं को दूर करते हुए 151 वर्षों तक विश्वसनीय डेटा प्रतिधारण प्रदान करता है।

EEPROM के विपरीत, FM24CL04B बस गति से लेखन कार्य करता है। लिखने में कोई देरी नहीं होती. प्रत्येक बाइट को डिवाइस में सफलतापूर्वक स्थानांतरित करने के तुरंत बाद डेटा को मेमोरी ऐरे में लिखा जाता है। अगला बस चक्र डेटा पोलिंग की आवश्यकता के बिना शुरू हो सकता है। इसके अलावा, उत्पाद अन्य गैर-वाष्पशील यादों की तुलना में पर्याप्त लेखन सहनशक्ति प्रदान करता है। इसके अलावा, एफ-रैम लिखने के दौरान ईईपीरोम की तुलना में बहुत कम शक्ति प्रदर्शित करता है क्योंकि लिखने के संचालन के लिए लिखने वाले सर्किट के लिए आंतरिक रूप से ऊंचे बिजली आपूर्ति वोल्टेज की आवश्यकता नहीं होती है। FM24CL04B 10 को सपोर्ट करने में सक्षम है¹⁴पढ़ने/लिखने के चक्र, या EEPROM की तुलना में 100 मिलियन गुना अधिक लिखने के चक्र।

ये क्षमताएं FM24CL04B को गैर-वाष्पशील मेमोरी अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाती हैं, जिनके लिए बार-बार या तेजी से लिखने की आवश्यकता होती है। उदाहरणों में डेटा लॉगिंग से लेकर, जहां लेखन चक्रों की संख्या महत्वपूर्ण हो सकती है, औद्योगिक नियंत्रण की मांग तक शामिल है, जहां EEPROM का लंबा लेखन समय डेटा हानि का कारण बन सकता है। सुविधाओं का संयोजन सिस्टम के लिए कम ओवरहेड के साथ अधिक बार डेटा लिखने की अनुमति देता है।

FM24CL04B हार्डवेयर ड्रॉप-इन प्रतिस्थापन के रूप में सीरियल (I2C) EEPROM के उपयोगकर्ताओं को पर्याप्त लाभ प्रदान करता है। डिवाइस विनिर्देशों की गारंटी -40°C से +85°C की औद्योगिक तापमान सीमा पर दी जाती है।

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