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उत्पाद विवरण:
भुगतान & नौवहन नियमों:
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| समारोह: | कदम-अप, चरण-डाउन | आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन: | सकारात्मक या नकारात्मक |
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| टोपोलॉजी: | हिरन बढ़ावा | उत्पादन का प्रकार: | एडजस्टेबल |
| आउटपुट की संख्या: | 1 | ||
| प्रमुखता देना: | 64Kb सीरियल F-RAM SPI मेमोरी,20MHz बिना विलंब के लेखन F-RAM,151-वर्ष डेटा प्रतिधारण SOIC पैकेज |
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FM25CL64B-GTR 64Kb सीरियल F-RAM, 20MHz SPI, बिना विलंब के राइट्स, 10^14 सहनशक्ति, 151-वर्ष डेटा रिटेंशन, 2.0-3.6V ऑपरेशन, -40anddeg;C से +85anddeg;C और छोटा SOIC पैकेज
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विशेषताएँ
■ 64-Kbit फेरोइलेक्ट्रिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (F-RAM) तार्किक रूप से 8K औरtimes; 8 के रूप में व्यवस्थित
औरnbsp; ❐ उच्च-सहनशक्ति 100 ट्रिलियन (1014) रीड/राइट्स
औरnbsp; ❐ 151-वर्ष डेटा रिटेंशन (पृष्ठ 12 पर डेटा रिटेंशन और सहनशक्ति देखें)
औरnbsp; ❐ NoDelayandtrade; राइट्स
औरnbsp; ❐ उन्नत उच्च-विश्वसनीयता फेरोइलेक्ट्रिक प्रक्रिया
■ बहुत तेज़ सीरियल पेरिफेरल इंटरफ़ेस (SPI)
औरnbsp; ❐ 20 मेगाहर्ट्ज तक की आवृत्ति
औरnbsp; ❐ सीरियल फ़्लैश और EEPROM के लिए डायरेक्ट हार्डवेयर रिप्लेसमेंट
औरnbsp; ❐ SPI मोड 0 (0, 0) और मोड 3 (1, 1) का समर्थन करता है
■ परिष्कृत राइट प्रोटेक्शन स्कीम
औरnbsp; ❐ राइट प्रोटेक्ट (WP ) पिन का उपयोग करके हार्डवेयर सुरक्षा
औरnbsp; ❐ राइट डिसेबल इंस्ट्रक्शन का उपयोग करके सॉफ़्टवेयर सुरक्षा
औरnbsp; ❐ 1/4, 1/2, या संपूर्ण एरे के लिए सॉफ़्टवेयर ब्लॉक सुरक्षा
■ कम बिजली की खपत
औरnbsp; ❐ 1 मेगाहर्ट्ज पर 200 A सक्रिय करंट
औरnbsp; ❐ 3 A (typ) स्टैंडबाय करंट
■ कम-वोल्टेज ऑपरेशन: VDD = 2.7 V से 3.65 V
■ औद्योगिक तापमान: औरndash;40 C से +85 C
■ पैकेज
औरnbsp; ❐ 8-पिन छोटा आउटलाइन इंटीग्रेटेड सर्किट (SOIC) पैकेज
औरnbsp; ❐ 8-पिन पतला डुअल फ्लैट नो लीड्स (DFN) पैकेज
■ खतरनाक पदार्थों का प्रतिबंध (RoHS) अनुपालन
औरnbsp;
अनुप्रयोग
1. औद्योगिक स्वचालन औरamp; नियंत्रण प्रणाली
उदाहरण: PLC (प्रोग्रामेबल लॉजिक कंट्रोलर), स्मार्ट सेंसर, मोटर ड्राइव, औद्योगिक रोबोट।
यह क्यों उपयुक्त है: इन प्रणालियों को लगातार और तेजी से परिचालन पैरामीटर, इवेंट लॉग, फॉल्ट डेटा, या उत्पादन गणना लॉग करने की आवश्यकता होती है। F-RAM की अल्ट्रा-हाई सहनशक्ति और तेज़, विलंब-मुक्त राइट्स यह सुनिश्चित करते हैं कि महत्वपूर्ण डेटा पूरी तरह से सहेजा जाए, यहां तक कि बिजली की हानि के क्षण में भी, राइट विलंब के कारण डेटा हानि को रोकता है।
2. ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स
उदाहरण: ADAS में इवेंट डेटा रिकॉर्डर (EDR), ऑटोमोटिव ब्लैक बॉक्स, इंस्ट्रूमेंट क्लस्टर, बॉडी कंट्रोल मॉड्यूल।
यह क्यों उपयुक्त है: दुर्घटना या अचानक बिजली की हानि के दौरान बड़ी मात्रा में सेंसर डेटा को तुरंत लॉग करने की आवश्यकता होती है। F-RAM की तेज़ राइट विशेषता आदर्श है। इसकी उच्च सहनशक्ति अक्सर अपडेट किए गए डेटा जैसे माइलेज या डोर ओपन/क्लोज काउंट के लिए भी उपयुक्त है।
3. चिकित्सा उपकरण
उदाहरण: पोर्टेबल मेडिकल मॉनिटर (जैसे, ग्लूकोज मीटर, हार्ट रेट मॉनिटर), इम्प्लांटेबल डिवाइस, डायग्नोस्टिक उपकरण।
यह क्यों उपयुक्त है: उपकरणों को रोगी डेटा, उपयोग लॉग और कैलिब्रेशन जानकारी को विश्वसनीय रूप से रिकॉर्ड करने की आवश्यकता होती है। F-RAM की कम बिजली की खपत और उच्च विश्वसनीयता डेटा सुरक्षा और दीर्घकालिक स्थिर संचालन के लिए महत्वपूर्ण हैं।
4. स्मार्ट मीटरिंग औरamp; माप प्रणाली
उदाहरण: स्मार्ट बिजली मीटर, पानी मीटर, गैस मीटर।
यह क्यों उपयुक्त है: हर कुछ सेकंड में संचयी उपयोग डेटा को अपडेट करने और बिजली की हानि से पहले अंतिम मान को तुरंत सहेजने की आवश्यकता होती है। दैनिक बार-बार राइट्स EEPROM के लिए एक महत्वपूर्ण चुनौती हैं लेकिन F-RAM के लिए कोई समस्या नहीं हैं।
5. डेटा लॉगर्स
उदाहरण: पर्यावरण निगरानी (तापमान, आर्द्रता, दबाव लॉगर्स), GPS ट्रैकर्स।
यह क्यों उपयुक्त है: इन अनुप्रयोगों को उच्च आवृत्तियों पर डेटा स्ट्रीम की निरंतर लॉगिंग की आवश्यकता होती है। F-RAM की उच्च राइट स्पीड और अनंत सहनशक्ति EEPROM में निहित राइट विलंब के कारण डेटा हानि या बाधाओं के जोखिम के बिना निर्बाध डेटा लॉगिंग की अनुमति देती है।
6. हाई-एंड कंज्यूमर इलेक्ट्रॉनिक्स
उदाहरण: पेशेवर ऑडियो उपकरण, स्मार्ट होम हब, गेमिंग पेरिफेरल्स।
यह क्यों उपयुक्त है: जब उपयोगकर्ता सेटिंग्स, गेम स्टेट, या रियल-टाइम सेंसर डेटा को तेजी से सहेजने की आवश्यकता होती है, तो F-RAM EEPROM की तुलना में एक सहज और अधिक विश्वसनीय अनुभव प्रदान करता है।
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विवरण
FM25CL64B एक 64-Kbit नॉनवोलेटाइल मेमोरी है जो एक उन्नत फेरोइलेक्ट्रिक प्रक्रिया का उपयोग करता है। एक फेरोइलेक्ट्रिक रैंडम एक्सेस मेमोरी या F-RAM नॉनवोलेटाइल है और RAM के समान रीड और राइट करता है। यह 151 वर्षों तक विश्वसनीय डेटा रिटेंशन प्रदान करता है, जबकि सीरियल फ़्लैश, EEPROM और अन्य नॉनवोलेटाइल मेमोरी के कारण होने वाली जटिलताओं, ओवरहेड और सिस्टम स्तर की विश्वसनीयता समस्याओं को समाप्त करता है।
सीरियल फ़्लैश और EEPROM के विपरीत, FM25CL64B बस स्पीड पर राइट ऑपरेशन करता है। कोई राइट विलंब नहीं होता है। प्रत्येक बाइट के डिवाइस में सफलतापूर्वक स्थानांतरित होने के तुरंत बाद डेटा मेमोरी एरे में लिखा जाता है। अगला बस चक्र डेटा पोलिंग की आवश्यकता के बिना शुरू हो सकता है। इसके अतिरिक्त, उत्पाद अन्य नॉनवोलेटाइल मेमोरी की तुलना में पर्याप्त राइट सहनशक्ति प्रदान करता है। FM25CL64B 1014 रीड/राइट चक्रों का समर्थन करने में सक्षम है, या EEPROM की तुलना में 100 मिलियन गुना अधिक राइट चक्र।
ये क्षमताएं FM25CL64B को नॉनवोलेटाइल मेमोरी अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाती हैं जिन्हें बार-बार या तेजी से राइट्स की आवश्यकता होती है। उदाहरण डेटा संग्रह से लेकर हैं, जहां राइट चक्रों की संख्या महत्वपूर्ण हो सकती है, मांग वाले औद्योगिक नियंत्रणों तक जहां सीरियल फ़्लैश या EEPROM का लंबा राइट समय डेटा हानि का कारण बन सकता है।
FM25CL64B सीरियल EEPROM या फ़्लैश के उपयोगकर्ताओं को हार्डवेयर ड्रॉप-इन रिप्लेसमेंट के रूप में पर्याप्त लाभ प्रदान करता है। FM25CL64B हाई-स्पीड SPI बस का उपयोग करता है, जो F-RAM तकनीक की हाई-स्पीड राइट क्षमता को बढ़ाता है। डिवाइस विनिर्देशों की गारंटी -40 C से +85 C तक की औद्योगिक तापमान सीमा पर दी जाती है।
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जानकारी
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श्रेणी
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Mfr
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औरnbsp;
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सीरीज़
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पैकेजिंग
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टेप औरamp; रील (TR)
कट टेप (CT)
डिजी-रीलैंडreg;
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औरnbsp;
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पार्ट स्थिति
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सक्रिय
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डिजीकी प्रोग्रामेबल
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सत्यापित नहीं
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मेमोरी प्रकार
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नॉन-वोलेटाइल
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मेमोरी प्रारूप
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प्रौद्योगिकी
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FRAM (फेरोइलेक्ट्रिक RAM)
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मेमोरी आकार
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औरnbsp;
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मेमोरी संगठन
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8K x 8
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औरnbsp;
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मेमोरी इंटरफ़ेस
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SPI
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औरnbsp;
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क्लॉक फ़्रीक्वेंसी
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20 मेगाहर्ट्ज
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औरnbsp;
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राइट साइकिल टाइम - वर्ड, पेज
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औरnbsp;
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वोल्टेज - आपूर्ति
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2.7V ~ 3.65V
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औरnbsp;
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ऑपरेटिंग तापमान
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-40anddeg;C ~ 85anddeg;C (TA)
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औरnbsp;
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माउंटिंग प्रकार
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सरफेस माउंट
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पैकेज / केस
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सप्लायर डिवाइस पैकेज
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8-SOIC
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बेस उत्पाद संख्या
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ड्राइंग
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हमारा लाभ:फोन, PDAand#39;s, नोटबुक comput.ers
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