हम संचार मॉड्यूल, एंटेना, पीसीबी, पीसीबीए, और पीसीबी बोम के सभी घटकों से एक-स्टॉप समाधान सेवा प्रदान करते हैं।
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उत्पाद विवरण:
भुगतान & नौवहन नियमों:
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| समारोह: | कदम-अप, चरण-डाउन | आउटपुट कॉन्फ़िगरेशन: | सकारात्मक या नकारात्मक |
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| टोपोलॉजी: | हिरन बढ़ावा | उत्पादन का प्रकार: | एडजस्टेबल |
| आउटपुट की संख्या: | 1 | ||
| प्रमुखता देना: | N-Channel Power MOSFET 55A 60V,TO-220FP MOSFET low gate charge,Logic Level MOSFET high speed switching |
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STP55NF06FP 55A 60V N-चैनल पावर MOSFET जिसमें andlt;0.02andOmega; RDS(on) TO-220FP हिमस्खलन रेटेड लॉजिक लेवल हाई स्पीड स्विचिंग और कुशल पावर कंट्रोल के लिए कम गेट चार्ज है
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विशेषताएँ
1: कम ऑन-रेसिस्टेंस (कम RDS(on)): अत्यंत कम अधिकतम ऑन-रेसिस्टेंस 0.02andOmega; (Vgs=10V पर), जो संचालन हानि को कम करता है, दक्षता में सुधार करता है, और गर्मी उत्पन्न होने को कम करता है।
2: उच्च करंट हैंडलिंग: 55A तक निरंतर ड्रेन करंट को संभालने में सक्षम, यहां तक कि उच्च पल्स करंट क्षमता के साथ, जो इसे उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है।
3: लॉजिक-लेवल गेट ड्राइव: कम थ्रेशोल्ड वोल्टेज (Vgs(th) आमतौर पर 2V से 4V), जिससे इसे सीधे 5V या 3.3V माइक्रोकंट्रोलर द्वारा संचालित किया जा सकता है (उदाहरण के लिए, Arduino, STM32) बिना लेवल-शिफ्टिंग सर्किट की आवश्यकता के।
4: तेज़ स्विचिंग स्पीड: SMPS और PWM मोटर नियंत्रण जैसे उच्च-आवृत्ति स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित, स्विचिंग हानि को कम करता है।
5: पूरी तरह से इंसुलेटेड पैकेज (TO-220FP फुलपैक): TO-220FP एन्कैप्सुलेशन पूरी तरह से धातु हीटसिंक को संलग्न करता है, जो बढ़ी हुई इन्सुलेशनऔरnbsp;और सुरक्षा प्रदान करता है, जबकि अतिरिक्त इन्सुलेशन पैड की आवश्यकता को समाप्त करके असेंबली को सरल बनाता है।
6: उच्च वोल्टेज रेटिंग: 60V की ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (Vds) रेटिंग, जो 12V, 24V और उच्च वोल्टेज सिस्टम के लिए पर्याप्त मार्जिन प्रदान करती है।
7: मजबूत डिज़ाइन: हिमस्खलन रेटेड, आगमनात्मक लोड स्विचिंग (उदाहरण के लिए, मोटर्स, रिले) से ऊर्जा वृद्धि के तहत स्थायित्व सुनिश्चित करता है।
8: कम गेट चार्ज (Qg): कम कुल गेट चार्ज ड्राइविंग आवश्यकताओं को कम करता है और कुशल उच्च गति स्विचिंग को सक्षम बनाता है।
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अनुप्रयोग
■ स्विचिंग अनुप्रयोग
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विवरण
इन पावर MOSFET को STMicroelectronicsandrsquo; के अद्वितीय STripFET प्रक्रिया का उपयोग करके विकसित किया गया है, जिसे विशेष रूप से इनपुट कैपेसिटेंस और गेट चार्ज को कम करने के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह उपकरणों को दूरसंचार और कंप्यूटर अनुप्रयोगों के लिए उन्नत उच्च-दक्षता वाले पृथक DC DC कन्वर्टर्स में प्राथमिक स्विच के रूप में उपयोग के लिए उपयुक्त बनाता है, और कम गेट चार्ज ड्राइविंग आवश्यकताओं वाले अनुप्रयोगों के लिए।
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जानकारी
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श्रेणी
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निर्माता
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सीरीज़
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FET प्रकार
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प्रौद्योगिकी
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ड्रेन से सोर्स वोल्टेज (Vdss)
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60 V
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करंट - निरंतर ड्रेन (Id) @ 25anddeg;C
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ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम Rds ऑन, न्यूनतम Rds ऑन)
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10V
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औरnbsp;
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Rds ऑन (अधिकतम) @ Id, Vgs
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18mOhm @ 27.5A, 10V
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औरnbsp;
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Vgs(th) (अधिकतम) @ Id
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4V @ 250andmicro;A
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औरnbsp;
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गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs
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60 nC @ 10 V
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औरnbsp;
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Vgs (अधिकतम)
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औरplusmn;20V
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औरnbsp;
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इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
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1300 pF @ 25 V
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FET फ़ीचर
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पावर डिसिपेशन (अधिकतम)
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30W (Tc)
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ऑपरेटिंग तापमान
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-55anddeg;C ~ 175anddeg;C (TJ)
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ग्रेड
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योग्यता
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माउंटिंग प्रकार
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थ्रू होल
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सप्लायर डिवाइस पैकेज
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TO-220FP
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पैकेज / केस
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बेस उत्पाद नंबर
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ड्राइंग
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हमारा लाभ:फोन, PDAand#39;s, नोटबुक कंप्यूटर
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सभी प्रकार के घटकों के लिए आपकी आवश्यकता को पूरा करना सुनिश्चित करें। ^_^
उत्पाद सूची
इलेक्ट्रॉनिक घटकों की एक श्रृंखला की आपूर्ति करें, सेमीकंडक्टर, सक्रिय और निष्क्रिय घटकों की पूरी श्रृंखला। हम आपको पीसीबी के बीओएम के लिए सब कुछ प्राप्त करने में मदद कर सकते हैं, एक शब्द में, आप यहां वन-स्टॉप समाधान प्राप्त कर सकते हैं,
ऑफ़र में शामिल हैं:
इंटीग्रेटेड सर्किट, मेमोरी आईसी, डायोड, ट्रांजिस्टर, कैपेसिटर, रेसिस्टर, वैरिस्टर, फ्यूज, ट्रिमर और पोटेंशियोमीटर, ट्रांसफॉर्मर, बैटरी, केबल, रिले, स्विच, कनेक्टर, टर्मिनल ब्लॉक, क्रिस्टल और ऑसिलेटर, इंडक्टर, सेंसर, ट्रांसफॉर्मर, IGBT ड्राइवर, एलईडी, एलसीडी, कनवर्टर, पीसीबी (प्रिंटेड सर्किट बोर्ड), पीसीबा (पीसीबी असेंबली)
ब्रांड में मजबूत:
माइक्रोचिप, मैक्स, एडी, टीआई, एटमेल, एसटी, ऑन, एनएस, इंटरसिल, विनबॉन्ड, विशे, आईएसएसआई, इन्फिनियन, एनईसी, फेयरचाइल्ड, ओमरॉन, यागेओ, टीडीके, आदि
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