IS42S16320B-7TL SDRAM 64Mb घनत्व 166MHz गति 3.3V संचालन 16Mx16 संगठन LVTTL इंटरफ़ेस औद्योगिक तापमान (-40°C~85°C) कॉम्पैक्ट TSOP-II पैकेज उच्च विश्वसनीयता

IS42S16320B-7TL SDRAM 64Mb घनत्व 166MHz गति 3.3V संचालन 16Mx16 संगठन LVTTL इंटरफ़ेस औद्योगिक तापमान (-40anddeg;C~85anddeg;C) कॉम्पैक्ट TSOP-II पैकेज उच्च विश्वसनीयता

औरnbsp;

विशेषताएं

और बुल; घड़ी आवृत्तिः 166, 143, 133 मेगाहर्ट्ज

andbull; पूरी तरह से तुल्यकालिक; सभी संकेत एक सकारात्मक घड़ी किनारे के लिए संदर्भित

और बुल; छिपाने की पंक्ति के लिए आंतरिक बैंक

और बुल; बिजली की आपूर्ति

और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और  और   और   और   और   और   और   और   और   और   और   और   और   और   और   और   और   और   और 

औरnbsp; IS42/45S16320B 3.3Vandnbsp; औरnbsp;3.3V

औरnbsp; IS42S86400Bandnbsp; औरnbsp; औरnbsp; औरnbsp; 3.3Vandnbsp; औरnbsp;3.3V

और बुल; LVTTL इंटरफ़ेस

andbull; प्रोग्राम करने योग्य फट लंबाई andndash; (1, 2, 4, 8, पूरा पृष्ठ)

andbull; प्रोग्राम करने योग्य फट अनुक्रमः अनुक्रमिक/अंतर

andbull; ऑटो रिफ्रेश (सीबीआर)

औरबुल; स्व-नवीनीकरण

और बुल; 8K रिफ्रेश साइकिल हर 16ms (ग्रेड A2) या 64ms (वाणिज्यिक, औद्योगिक, ग्रेड A1)

andbull; हर घड़ी चक्र के लिए यादृच्छिक स्तंभ पता

एंडबुल; प्रोग्राम करने योग्य सीएएस विलंबता (2, 3 घंटे)

andbull; फस्ट रीड/राइट और फस्ट रीड/सिंगल राइट ऑपरेशन की क्षमता

andbull; फट रुकने और प्रीचार्ज कमांड द्वारा फट समाप्ति

andbull; 54-पिन TSOP-II और 54-बॉल W-BGA (केवल x16) में उपलब्ध है

और बुल; ऑपरेटिंग तापमान रेंजः

औरnbsp; वाणिज्यिकः 0oC से +70oC

औरnbsp; औद्योगिकः -40oC से +85oC

औरnbsp; ऑटोमोटिव, A1: -40oC से +85oC

औरnbsp; ऑटोमोटिव, A2: -40oC से +105oC

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अवलोकन

ISSIand#39;s 512Mb सिंक्रोनस DRAM पाइपलाइन आर्किटेक्चर का उपयोग करके उच्च गति डेटा हस्तांतरण प्राप्त करता है। सभी इनपुट और आउटपुट सिग्नल घड़ी इनपुट के बढ़ते किनारे को संदर्भित करते हैं।512 एमबी एसडीआरएएम निम्नानुसार संगठित है.

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उपकरण का अवलोकन

512 एमबी एसडीआरएएम एक उच्च गति सीएमओएस, गतिशील यादृच्छिक-प्रवेश स्मृति है जिसे 3.3 वी वीडीडी और 3.3 वी वीडीडीक्यू मेमोरी सिस्टम में काम करने के लिए डिज़ाइन किया गया है जिसमें 536,870,912 बिट्स. एक सिंक्रोनस इंटरफ़ेस के साथ एक क्वाड-बैंक DRAM के रूप में आंतरिक रूप से विन्यस्त. प्रत्येक 134,217728-बिट बैंक को 8192 पंक्तियों द्वारा 1024 स्तंभों द्वारा 16 बिट्स के रूप में व्यवस्थित किया गया है।217728-बिट बैंकों को 8192 पंक्तियों द्वारा 2048 स्तंभों द्वारा 8 बिट्स के रूप में व्यवस्थित किया गया है।

512 एमबी एसडीआरएएम में एक ऑटो रिफ्रेश मोड, और एक पावर-सेविंग, पावर-डाउन मोड शामिल है। सभी सिग्नल क्लॉक सिग्नल के सकारात्मक किनारे पर पंजीकृत होते हैं, CLK।सभी इनपुट और आउटपुट LVTTL संगत हैं.

512 एमबी एसडीआरएएम में स्वचालित स्तंभ-पते जनरेशन के साथ उच्च डेटा दर पर डेटा को सिंक्रोनस रूप से फटाने की क्षमता है,अंतर्निहित बैंकों के बीच अंतर करने की क्षमता प्रीचार्ज समय को छिपाने के लिए और प्रत्येक घड़ी चक्र पर स्तंभ पते को यादृच्छिक रूप से बदलने की क्षमता.

ऑटो प्रीचार्ज फ़ंक्शन सक्षम होने पर फट अनुक्रम के अंत में आरंभ किया गया एक स्व-समय पंक्ति प्रीचार्ज उपलब्ध है।अन्य तीन बैंकों में से एक का उपयोग करते हुए एक बैंक प्रीचार्ज प्रीचार्ज चक्र छिपा और निर्बाध प्रदान करेगा, उच्च गति, यादृच्छिक-प्रवेश ऑपरेशन।

एसडीआरएएम पढ़ने और लिखने की पहुँच एक चयनित स्थान से शुरू होती है और एक प्रोग्राम किए गए अनुक्रम में स्थानों की एक निर्धारित संख्या के लिए जारी रहती है।एक सक्रिय कमांड का पंजीकरण प्रारंभ करता है, इसके बाद एक READ या WRITE कमांड होता है। पंजीकृत पता बिट्स के साथ मिलकर ACTIVE कमांड का उपयोग बैंक और पंक्ति का चयन करने के लिए किया जाता है (BA0, BA1 बैंक का चयन करें;A0-A12 पंक्ति का चयन करें). READ या WRITE कमांड का उपयोग पंजीकृत पता बिट्स के साथ मिलकर स्टार्ट कॉलम स्थान का चयन करने के लिए किया जाता है।

प्रोग्राम करने योग्य READ या WRITE फट लंबाई में 1, 2, 4 और 8 स्थान या पूर्ण पृष्ठ होते हैं, जिसमें फट समाप्त विकल्प होता है।

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विवरण

512 एमबी एसडीआरएएम क्वाड-बैंक डीआरएएम हैं जो 3.3 वी पर काम करते हैं और एक सिंक्रोनस इंटरफ़ेस शामिल करते हैं (सभी संकेत घड़ी संकेत, सीएलके के सकारात्मक किनारे पर पंजीकृत होते हैं) ।217728-बिट बैंकों को 8192 पंक्तियों द्वारा 1024 स्तंभों द्वारा 16 बिट्स या 8192 पंक्तियों द्वारा 2048 स्तंभों द्वारा 8 बिट्स के रूप में व्यवस्थित किया गया है।

एसडीआरएएम के लिए पढ़ने और लिखने के अभिगम फट उन्मुख हैं; अभिगम एक चयनित स्थान पर शुरू होते हैं और एक प्रोग्राम किए गए अनुक्रम में स्थानों की एक निर्धारित संख्या के लिए जारी रहते हैं।एक्सेस एक एक्टिव कमांड के पंजीकरण के साथ शुरू होता है जिसके बाद एक रीड या राइट कमांड होता है. ACTIVE कमांड के साथ मेल खाने वाले पंजीकृत पता बिट्स का उपयोग बैंक और पंक्ति का चयन करने के लिए किया जाता है (BA0 और BA1 बैंक का चयन करते हैं, A0 A12 पंक्ति का चयन करते हैं) । पता बिट्स A0-A9 (x16);A0-A9, A11 (x8) जो कि READ या WRITE कमांड के साथ मेल खाते हैं, का उपयोग फटाफट पहुँच के लिए प्रारंभिक स्तंभ स्थान का चयन करने के लिए किया जाता है.

सामान्य संचालन से पहले एसडीआरएएम को प्रारम्भिक रूप दिया जाना चाहिए। निम्नलिखित खंडों में डिवाइस आरंभिकरण, रजिस्टर परिभाषा,कमांड विवरण और उपकरण संचालन.

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सूचना

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चित्रण

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उत्पाद सूची
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ब्रांड में मजबूतः
माइक्रोचिप, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK आदि