हम संचार मॉड्यूल, एंटेना, पीसीबी, पीसीबीए, और पीसीबी बोम के सभी घटकों से एक-स्टॉप समाधान सेवा प्रदान करते हैं।
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उत्पाद विवरण:
भुगतान & नौवहन नियमों:
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| आवृत्ति स्थिरता: | ±50पीपीएम | आवृत्ति सहिष्णुता: | ±30पीपीएम |
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| परिचालन तापमान: | -40°C ~ 85°C | लोड क्षमता: | 18pF |
| पैकेज / मामला: | HC-49/US | नाम: | निष्क्रिय इलेक्ट्रॉनिक घटक |
| प्रमुखता देना: | IPA60R360P7SXKSA1,IPA60R360P7SXKSA1 MOSFET |
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IPA60R360P7SXKSA1 600V CoolMOSandtrade; 360mΩ RDS(on) 11A करंट अल्ट्रा-लो स्विचिंग लॉसेस हाई एफिशिएंसी मजबूत ESD सुरक्षा TO-220 पैकेज SMPS औरamp; औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए
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विशेषताएँ
औरbull;उत्कृष्ट कम्यूटेशन मजबूती के कारण हार्ड और सॉफ्ट स्विचिंग (PFC और LLC) के लिए उपयुक्त
औरbull;स्विचिंग और कंडक्शन लॉसेस में महत्वपूर्ण कमी
औरbull;उत्कृष्ट ESD मजबूती औरgt;2kV (HBM) सभी उत्पादों के लिए
औरbull;प्रतिस्पर्धा की तुलना में बेहतर RDS(on)/पैकेज उत्पाद कम RDS(on)*A(1 ओम*मिमी औरsup2; से नीचे) द्वारा सक्षम
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लाभ
औरbull;कम रिंगिंग प्रवृत्ति और PFC और PWM चरणों में उपयोग के माध्यम से उपयोग में आसानी और तेज़ डिज़ाइन-इन
औरbull;कम स्विचिंग और कंडक्शन लॉसेस के कारण थर्मल प्रबंधन सरल
औरbull;औरgt;2kVESD सुरक्षा के कारण छोटे पदचिह्न और उच्च निर्माण गुणवत्ता वाले उत्पादों का उपयोग करके बढ़ी हुई पावर डेंसिटी समाधान औरbull;विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों और पावर रेंज के लिए उपयुक्त
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संभावित अनुप्रयोग
PFC चरण, हार्ड स्विचिंग PWM चरण और रेज़ोनेंट स्विचिंग चरण जैसे PCSilverbox, एडाप्टर, LCD औरamp; PDPTV, लाइटिंग, सर्वर, टेलीकॉम और UPS के लिए।
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उत्पाद सत्यापन
JEDEC मानक के अनुसार योग्य
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MOSFET
600V CoolMOSandordf; P7 पावर डिवाइस
CoolMOSandtrade; 7वीं पीढ़ी का प्लेटफ़ॉर्म उच्च वोल्टेज पावर MOSFET के लिए एक क्रांतिकारी तकनीक है, जिसे सुपरजंक्शन (SJ) सिद्धांत के अनुसार डिज़ाइन किया गया है और Infineon Technologies द्वारा अग्रणी है। 600V CoolMOSandtrade; P7 श्रृंखला CoolMOSandtrade; P6 श्रृंखला का उत्तराधिकारी है। यह उत्कृष्ट उपयोग में आसानी के साथ एक तेज़ स्विचिंग SJMOSFET के लाभों को जोड़ता है, उदाहरण के लिए, बहुत कम रिंगिंग प्रवृत्ति, हार्ड कम्यूटेशन के खिलाफ बॉडी डायोड की उत्कृष्ट मजबूती और उत्कृष्ट ESD क्षमता। इसके अतिरिक्त, बेहद कम स्विचिंग और कंडक्शन लॉसेस स्विचिंग एप्लिकेशन को और भी कुशल, अधिक कॉम्पैक्ट और बहुत ठंडा बनाते हैं।
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जानकारी
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श्रेणी
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निर्माता
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श्रृंखला
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पैकेजिंग
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भाग की स्थिति
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सक्रिय
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FET प्रकार
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प्रौद्योगिकी
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ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (Vdss)
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600 V
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करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25anddeg;C
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औरnbsp;
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ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम Rds ऑन, न्यूनतम Rds ऑन)
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10V
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औरnbsp;
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Rds ऑन (अधिकतम) @ Id, Vgs
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360mOhm @ 2.7A, 10V
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औरnbsp;
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Vgs(th) (अधिकतम) @ Id
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4V @ 140andmicro;A
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औरnbsp;
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गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs
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13 nC @ 10 V
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औरnbsp;
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Vgs (अधिकतम)
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औरplusmn;20V
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औरnbsp;
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इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds
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555 pF @ 400 V
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औरnbsp;
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FET फ़ीचर
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पावर डिसिपेशन (अधिकतम)
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22W (Tc)
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ऑपरेटिंग तापमान
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-40anddeg;C ~ 150anddeg;C (TJ)
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ग्रेड
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योग्यता
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माउंटिंग प्रकार
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थ्रू होल
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सप्लायर डिवाइस पैकेज
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PG-TO220-FP
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पैकेज / केस
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बेस उत्पाद नंबर
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ड्राइंग
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1. 10 साल का घटक अनुभव; BOM सूची के लिए वन-स्टॉप सेवा; PCB औरamp; PCBA सेवा।
2. संचार एंटीना, RF कोएक्सियल केबल, RF कनेक्टर, टर्मिनलों का उत्पादन करें।
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