FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14 धीरज 151yr प्रतिधारण कोई देरी नहीं लिखता 3.6V अधिकतम, SOIC-8 -40°C~85°C

FM24CL64B-GTR

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विशेषताएँ

■ 64-Kbit फेरोइलेक्ट्रिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (F-RAM) तार्किक रूप से 8K औरtimes; 8 के रूप में व्यवस्थित

❐ उच्च-स्थायित्व 100 ट्रिलियन (1014) रीड/राइट्स

❐ 151-वर्ष डेटा प्रतिधारण (पृष्ठ 10 पर डेटा प्रतिधारण और सहनशक्ति देखें)

❐ NoDelayandtrade; लिखता है

❐ उन्नत उच्च-विश्वसनीयता फेरोइलेक्ट्रिक प्रक्रिया

■ तेज़ 2-तार सीरियल इंटरफ़ेस (I2C)

❐ 1-MHz तक की आवृत्ति

❐ सीरियल (I2C) EEPROM के लिए डायरेक्ट हार्डवेयर रिप्लेसमेंट

❐ 100 kHz और 400 kHz के लिए लेगेसी टाइमिंग का समर्थन करता है

■ कम बिजली की खपत

❐ 100 A (typ) 100 kHz पर सक्रिय करंट ❐ 3 A (typ) स्टैंडबाय करंट

■ वोल्टेज ऑपरेशन: VDD = 2.7 V से 3.65 V

■ औद्योगिक तापमान: औरndash;40 C से +85 C

■ पैकेज

❐ 8-पिन छोटा आउटलाइन इंटीग्रेटेड सर्किट (SOIC) पैकेज

❐ 8-पिन पतला डुअल फ्लैट नो लीड्स (DFN) पैकेज

■ खतरनाक पदार्थों का प्रतिबंध (RoHS) अनुपालक

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कार्यात्मक विवरण

FM24CL64B एक 64-Kbit गैर-वाष्पशील मेमोरी है जो एक उन्नत फेरोइलेक्ट्रिक प्रक्रिया का उपयोग करता है। एक फेरोइलेक्ट्रिक रैंडम एक्सेस मेमोरी या F-RAM गैर-वाष्पशील है और RAM के समान रीड और राइट करता है। यह EEPROM और अन्य गैर-वाष्पशील मेमोरी के कारण होने वाली जटिलताओं, ओवरहेड और सिस्टम-स्तरीय विश्वसनीयता समस्याओं को खत्म करते हुए 151 वर्षों तक विश्वसनीय डेटा प्रतिधारण प्रदान करता है।

EEPROM के विपरीत, FM24CL64B बस गति से राइट ऑपरेशन करता है। कोई राइट डिले नहीं होता है। प्रत्येक बाइट के डिवाइस में सफलतापूर्वक स्थानांतरित होने के तुरंत बाद डेटा मेमोरी एरे में लिखा जाता है। डेटा पोलिंग की आवश्यकता के बिना अगला बस चक्र शुरू हो सकता है। इसके अतिरिक्त, उत्पाद अन्य गैर-वाष्पशील मेमोरी की तुलना में पर्याप्त राइट सहनशक्ति प्रदान करता है। साथ ही, F-RAM राइट के दौरान EEPROM की तुलना में बहुत कम बिजली दिखाता है क्योंकि राइट ऑपरेशन के लिए राइट सर्किट के लिए आंतरिक रूप से उन्नत बिजली आपूर्ति वोल्टेज की आवश्यकता नहीं होती है। FM24CL64B 1014 रीड/राइट चक्रों का समर्थन करने में सक्षम है, या EEPROM की तुलना में 100 मिलियन गुना अधिक राइट चक्र।

ये क्षमताएं FM24CL64B को गैर-वाष्पशील मेमोरी अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाती हैं, जिसमें बार-बार या तेज़ राइट की आवश्यकता होती है। उदाहरण डेटा लॉगिंग से लेकर हैं, जहां राइट चक्रों की संख्या महत्वपूर्ण हो सकती है, मांग वाले औद्योगिक नियंत्रणों तक जहां EEPROM का लंबा राइट समय डेटा हानि का कारण बन सकता है। सुविधाओं का संयोजन सिस्टम के लिए कम ओवरहेड के साथ अधिक बार डेटा लेखन की अनुमति देता है।

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जानकारी

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