FM24CL64B-GTR 64Kb FRAM I2C 1MHz 10^14 धीरज 151yr प्रतिधारण कोई देरी नहीं लिखता 3.6V अधिकतम, SOIC-8 -40°C~85°C

FM24CL64B-GTR

विशेषताएं

■ 64-Kbit फेरोइलेक्ट्रिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (F-RAM) 8K × 8 के रूप में तार्किक रूप से व्यवस्थित

उच्च धीरज 100 ट्रिलियन (1014) पढ़ता/लिखता है

151-वर्ष का डेटा भंडारण (पृष्ठ 10 पर डेटा भंडारण और धीरज देखें)

NoDelayTM लिखता है

उन्नत उच्च विश्वसनीयता वाली लौह विद्युत प्रक्रिया

■ फास्ट 2-वायर सीरियल इंटरफेस (I2C)

1 मेगाहर्ट्ज तक की आवृत्ति

सीरियल (I2C) EEPROM के लिए प्रत्यक्ष हार्डवेयर प्रतिस्थापन

100 kHz और 400 kHz के लिए पुराने समय का समर्थन करता है

■ कम बिजली की खपत

100 kHz पर सक्रिय धारा ¥ 3 ¥A (सामान्य) स्टैंडबाय धारा

■ वोल्टेज ऑपरेशनः वीडीडी = 2.7 वी से 3.65 वी

■ औद्योगिक तापमानः ¥40 ¥C से +85 ¥C

■ पैकेज

8 पिन छोटे रूपरेखा एकीकृत सर्किट (SOIC) पैकेज

8 पिन पतला डबल फ्लैट नो लीड (DFN) पैकेज

■ खतरनाक पदार्थों के प्रतिबंध (RoHS) के अनुरूप

कार्यात्मक विवरण

एफएम 24 सीएल 64 बी एक उन्नत फेरोइलेक्ट्रिक प्रक्रिया को नियोजित करने वाली 64-किबिट गैर-विलायक मेमोरी है। एक फेरोइलेक्ट्रिक यादृच्छिक पहुंच मेमोरी या एफ-रैम गैर-विलायक है और एक रैम के समान पढ़ता है और लिखता है।यह जटिलताओं को समाप्त करते हुए 151 वर्षों तक विश्वसनीय डेटा भंडारण प्रदान करता है, ओवरहेड और सिस्टम स्तर की विश्वसनीयता की समस्याएं जो EEPROM और अन्य गैर-अस्थिर मेमोरी के कारण होती हैं।

EEPROM के विपरीत, FM24CL64B बस गति पर लेखन संचालन करता है। कोई लेखन देरी नहीं होती है।डेटा प्रत्येक बाइट सफलतापूर्वक डिवाइस के लिए स्थानांतरित किया जाता है के बाद तुरंत स्मृति सरणी में लिखा जाता है. अगला बस चक्र डेटा पोलिंग की आवश्यकता के बिना शुरू हो सकता है। इसके अलावा, उत्पाद अन्य गैर-अस्थिर स्मृति की तुलना में पर्याप्त लेखन धीरज प्रदान करता है।F-RAM EEPROM की तुलना में लेखन के दौरान बहुत कम शक्ति प्रदर्शित करता है क्योंकि लेखन संचालन के लिए लेखन सर्किट के लिए आंतरिक रूप से ऊंचा बिजली आपूर्ति वोल्टेज की आवश्यकता नहीं होती हैFM24CL64B 1014 रीड/राइट साइकिल या EEPROM से 100 मिलियन गुना अधिक रीड/राइट साइकिल को सपोर्ट करने में सक्षम है।

ये क्षमताएं FM24CL64B को गैर-अस्थिर स्मृति अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाती हैं, जिन्हें लगातार या तेजी से लिखने की आवश्यकता होती है। उदाहरण डेटा लॉगिंग से लेकर, जहां लेखन चक्रों की संख्या महत्वपूर्ण हो सकती है।,ईईपीआरओएम के लंबे लेखन समय के कारण डेटा हानि हो सकती है। सुविधाओं का संयोजन सिस्टम के लिए कम ओवरहेड के साथ अधिक बार डेटा लिखने की अनुमति देता है।

सूचना

चित्रण

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उत्पाद सूची
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ब्रांड में मजबूतः
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